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Darstellung von III-V Single Source Precursor

Beschichtung von Silicium mit Indiumnitrid und
Galiumnitrid

Charakterisierung von III-V Halbleiterfilmen

Der Wert der III-V Halbleiter besteht darin, daß der Bereich nützlicher Eigenschaften von Silicium und Ge erweitert werden kann. Durch wohlüberlegtes Zusammenmischen zu ternären Phasen kann man Lücken zwischen Energiebändern, Beweglichkeit der Stromträger, sowie andere Eigenschaften kontinuierlich verändern. So z.B. werden III-V Halbleiter heute kommerziel für lichtemittierende Dioden (LEDs) verwendet, sowie für infrarot emittierende Dioden die ihren Einsatz in Injektionslasern, Infrarotdetektoren, Photomultiplierröhren u.v.a. verwendet werden. Das Ziel neuer III-V Halbleitersysteme soll es sein ein weiteres Spektrum abdecken zu können, um z.B. als UV emittierende Dioden in Lasern ihren Einsatz zu finden.
Wen es denn interessiert, der kann ja mal in folgende Web-Seiten hineinschauen. Dort kann man sich die ein oder andere Information über MOCVD-Verfahren und Single-Precursordarstellung downloaden.


MOCVD	Hier wird recht ausführlich die Anwendung eines der bekanntesten III-V Halbleiters, dem GaAs, beschrieben.
Material Research Society	Eine sehr ausführliche Homepage für III-V Halbleiter ( vorwiegend III-Nitride ) mit über 120 Einzelartikeln.
AIXTRON	AIXTRON GmbH Manufacturer of III-Nitrides

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